La SZ ADE Electronics Co. , Ltd

Honest and trustworthy, hand in hand, customer trust is the life of ADE.

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil / produits / Transistor IC Chip /

Paquet de la Manche 30V 1.5A 500mW Sot23 3 du circuit intégré P de transistor de FDN358P

Contacter
La SZ ADE Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrAndy
Contacter

Paquet de la Manche 30V 1.5A 500mW Sot23 3 du circuit intégré P de transistor de FDN358P

Demander le dernier prix
Number modèle :FDN358P
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :100 000
Délai de livraison :jours 1-3working
Détails de empaquetage :Boîte de carton
Bâti extérieur SOT-23 du P-canal 20 V 1.7A 1W de puce d'IC de transistor de FDN335N :30 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :1.5A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :125mOhm @ 1.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :5,6 OR @ 10 V
Vgs (maximum) :±20V
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Bâti extérieur SOT-23 du P-canal 20 V 1.7A 1W de puce d'IC de transistor de FDN358P

 

Bâti 500mW (merci) extérieur du P-canal 30 V 1.5A (ventres) de FDN358P SOT-23-3

 

Caractéristiques de FDN358P

 

– 1,5 A, – 30 mΩ de V. le RDS (DESSUS) = 125 @ VGS = – 10 mΩ de V le RDS (DESSUS) = 200 @ VGS = – 4,5 V
• Basse charge de porte (4 OR typiques)
• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS).
• Version de puissance élevée du paquet SOT-23 industriellement compatible. Goupille- identique à SOT-23 avec une puissance plus élevée de 30% manipulant la capacité.

 

Attributs de produit de FDN358P

 

Produit
 
FDN358P
Type de FET
P-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
30 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
1.5A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
125mOhm @ 1.5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
5,6 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
182 PF @ 15 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3
Paquet/cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombre bas de produit
FDN358

 

Classifications environnementales et d'exportation de FDN358P

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (illimité)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 

Paquet de la Manche 30V 1.5A 500mW Sot23 3 du circuit intégré P de transistor de FDN358P

 

Inquiry Cart 0