Le transistor MOSFET d'IC du transistor DMN5L06DWK7 conjuguent signal de la Manche de la Manche 2 de N petit
Le transistor MOSFET de puce d'IC du transistor DMN5L06DWK7 conjuguent signaux de la Manche de la Manche 2 de N de petits
Caractéristiques de DMN5L06DWK7
double transistor MOSFET de N-canal de
basse Sur-résistance de (1.0V maximum)
tension même de seuil de porte de basse
basse capacité d'entrée de
vitesse de changement rapide de
basse fuite d'entrée-sortie de
Ultra-petit paquet extérieur de bâti de
le ESD s'est protégé jusqu'à 2kV
totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme (notes 1 et 2)
halogène et antimoine de libres. Dispositif « vert » (note 3)
le a qualifié aux normes AEC-Q101 pour haut Reliabilit
Données mécaniques de DMN5L06DWK7
| Cas |
SOT363 |
| Matériel de cas |
Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0 |
| Sensibilité d'humidité |
De niveau 1 par J-STD-020 |
| Connexions terminales |
Voir le diagramme |
| Terminaux |
Finition – Matte Tin Annealed au-dessus d'alliage 42 Leadframe. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208 |
| Poids |
0,006 grammes (d'approximatif) |
Attributs de produit de DMN5L06DWK7
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Configuration
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Caractéristique de FET
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Porte de niveau de logique
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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Puissance - maximum
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Température de fonctionnement
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Montage du type
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Paquet/cas
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Paquet de dispositif de fournisseur
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Nombre bas de produit
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DMN5L06
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Dans l'entrepôt.
