L'utilisation de la mémoire de type SDRAM est autorisée pour les périphériques de type SDRAM.
Les données sont fournies par le système d'exploitation.
Les spécifications de Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
| Le type |
Définition |
| Catégorie |
Circuits intégrés (CI) |
| La mémoire |
| Mfr |
ISSI, Solution intégrée au silicium Inc. |
| Série |
- |
| Le paquet |
Plateau |
| Statut du produit |
Dépassé |
| Type de mémoire |
Les produits de base |
| Format de mémoire |
DRAM |
| Technologie |
SDRAM - DDR3L |
| Taille de mémoire |
4Gbit |
| Organisation de la mémoire |
256 M x 16 |
| Interface de mémoire |
Parallèlement |
| Fréquence d'horloge |
800 MHz |
| Écrire le temps du cycle - mot, page |
15 ans |
| Temps d'accès |
20 ns |
| Voltage - alimentation |
1.283V ~ 1.45V |
| Température de fonctionnement |
-40°C à 105°C (TC) |
| Type de montage |
Monture de surface |
| Emballage / boîtier |
96-TFBGA |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur |
Le système de détection de la pollution est utilisé. |
| Numéro du produit de base |
Le produit est soumis à un contrôle d'approvisionnement. |
CaractéristiquesdeLes produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
* Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
* Taux de transfert de données à grande vitesse avec fréquence système jusqu'à 1066 MHz
* 8 banques internes pour une opération simultanée
* Architecture de pré-remplacement 8n-bit
* La latence du CAS programmable
* latence additive programmable: 0, CL-1, CL-2
* latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
* Longueur de sortie programmable: 4 et 8
* Séquence d'éclatement programmable: séquentielle ou interlie
* Commutateur BL à la volée
* Autorefresh automatique (ASR)
* Température de rafraîchissement automatique (SRT)
* Intervalle de mise à jour:
- 7,8 us (8192 cycles/ 64 ms) Tc= -40°C à 85°C
- 3,9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
* Auto-renouvellement partiel de la matrice
* épingle de réinitialisation asynchrone
* TDQS (Termination Data Strobe) est pris en charge (x8 uniquement)
* OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
* ODT dynamique
* Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Écrire le niveau
* Jusqu'à 200 MHz en mode DLL désactivé
* Température de fonctionnement:
- Commercial (TC = 0°C à +95°C)
- industriel (TC = -40°C à +95°C)
- Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
- Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)
ApplicationsdeLes produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
La configuration:
- 512Mx8
- 256Mx16
Le paquet:
- BGA à 96 boules (9 mm x 13 mm) pour x16
- BGA à 78 boules (9 mm x 10,5 mm) pour x8
Classifications environnementales et d'exportationLes produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
| Attribut |
Définition |
| Statut de la réglementation RoHS |
Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
3 (168 heures) |
| Statut REACH |
REACH Non affecté |
| Nom de la banque |
EAR99 |
| HTSUS |
8542.32.0036 |
