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DXT2012P5-13

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DXT2012P5-13

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Polarité de transistor :PNP
Catégorie de produits :Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal :- 15 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :- 60 V
Emballage / boîtier :Le PowerDI-5
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain :120 mégahertz
Configuration :Unique
Tension de collecteur-base VCBO :- 100 V
Série :DXT201
Tension basse VEBO d'émetteur :- 7 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :- 250 mV
Produit de fabrication :Diodes incorporées
Définition :Transistors bipolaires - BJT BIPOLAR TRANS, PNP 60V, - 5,5A
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