FF300R12KT4
courant de fuite de Porte-émetteur :Na 400
Catégorie de produits :Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C :450 A
Pd - Dissipation de l'énergie :W 1600
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier :62 millimètres
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
emballage :Plateau
Configuration :Dual
Tension de saturation de collecteur-émetteur :2,1 V
Produit :Modules de silicium d'IGBT
Produit de fabrication :Infineon Technologies
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