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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :65 mA
Statut du produit :Actif
Type de transistor :5 NPN
Type de montage :Monture de surface
Fréquence - Transition :8GHz
le paquet :Tuyaux
Série :-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :14-SOIC
Mfr :Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Figure du bruit (dB Typ @ f) :3.5 dB @ 1 GHz
Puissance maximale :150 mW
Les gains :-
Emballage / boîtier :14 - SOIC (0,154 ", largeur de 3,90 mm)
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :40 @ 10 mA, 2 V
Numéro du produit de base :HFA3046
Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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