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QPD1000 est le nombre de

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QPD1000 est le nombre de

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Polarité de transistor :N-canal
Technologie :GaN SiC
Catégorie de produits :Transistors RF JFET
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Les gains :DB 19
Type de transistor :HEMT
Puissance de sortie :24 W
Emballage / boîtier :QFN-8
Température de fonctionnement maximale :+ 85 °C
Vds - tension claque de Drain-source :28 V
emballage :Plateau
Identification - courant continu de drain :817 mA
Vgs - Tension de rupture de la porte-source :Pour les appareils électroniques
Pd - Dissipation de l'énergie :28.8 W
Produit de fabrication :Qorvo
Définition :Transistors RF JFET 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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Le QPD1000, de Qorvo, est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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