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Ville:hong kong
Pays / Région:china
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Polarité de transistor :N-canal
Technologie :GaN SiC
Catégorie de produits :Transistors RF JFET
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Les gains :DB 22
Type de transistor :HEMT
Puissance de sortie :180 W
Emballage / boîtier :NI400-2
Température de fonctionnement maximale :+ 85 °C
Vds - tension claque de Drain-source :50 V
emballage :gaufre
Voltage maximal de la porte de vidange :55 V
Identification - courant continu de drain :360 mA
Pd - Dissipation de l'énergie :60.9 W
Produit de fabrication :Qorvo
Définition :Transistors RF JFET de 3,4 à 3,6 GHz 50V 180 Watt GaN
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