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Catégorie de produits :Transistor MOSFET
Vgs (maximum) :±30V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :10A (ventres)
Type de FET :N-canal
Type de montage :À travers le trou
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :25nC @ 10V
Produit de fabrication :Toshiba
Quantité minimum :2500
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :10 V
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Caractéristique de FET :-
Série :Le nombre d'étoiles
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :1350 pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :TO-220SIS
Statut de la partie :Actif
emballage :Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs :750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :45W (comité technique)
Emballage / boîtier :Plein paquet TO-220-3
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :4V @ 1mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :600 V
Définition :Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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