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FDC6506P

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Ville:hong kong
Pays / Région:china
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FDC6506P

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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SuperSOT™-6
Catégorie de produits :Transistor MOSFET
Quantité minimum :3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage.
Emballage / boîtier :Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Statut de la partie :Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :1.8A
emballage :Tape et bobine (TR)
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET :P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET :Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :30 V
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :Le système de régulation de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
Puissance maximale :700mW
Vgs(th) (maximum) @ Id :3V @ 250µA
Série :PowerTrench®
Produit de fabrication :un demi
Définition :Transistor MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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