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Transistors bipolaires simples pré-biasés

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Ville:hong kong
Pays / Région:china
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 Transistors bipolaires simples pré-biasés

le PDTC114ET,215

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Monture de surface TO-236AB
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PDTA114ET,215

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Monture de surface pré-biasée 50 V 100 mA 250 mW TO-236AB
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PDTC114YT,215

Transistor bipolaire Pré-décentré (BJT) NPN - 50 V Pré-décentrés 100 mA bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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DTC043ZEBTL

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface EMT3F (SOT-416FL)
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DTC114YKAT146

Transistors bipolaires préorientés (BJT) NPN - Préorientés 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SMT3
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DTC143ZUAT106

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface UMT3
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DTC123EKAT146

Transistors bipolaires préorientés (BJT) NPN - Préorientés 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SMT3
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DTC043ZMT2L

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW VMT3
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DTC144EETL

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface EMT3
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DTC123JETL

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface EMT3
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