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Informations générales
ABB 3BHE006412R0101
IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor), transistor bipolaire isolé de porte, est un composé entièrement commandé
dispositif de semi-conducteur motivé par la tension de puissance composé de BJT (transistor bipolaire) et de MOS (transistor à effet de champ isolé de porte),
et a l'entrée élevée du transistor MOSFET l'impédance et la basse chute de tension d'ouverture du GTR. La tension de saturation GTR
est réduit, la densité de transport actuelle est grande, mais le courant d'entraînement est grand ; la puissance d'entraînement de transistor MOSFET est petite, t
il vitesse de changement est rapide, mais la chute de tension de conduction est grande, et la densité de transport actuelle est petite.
Pour votre référence
Quantité d'ordre minimum : 1 morceau
Type de paiement : Paiement 100% à l'avance
Garantie : un an
Associés de messager : DHL, UPS, TNT, Fedex et SME
Délai d'exécution : 2 ou 3 jours ouvrables
Spécification technique, manuels et fiches techniques : Disponible sur demande
Pour obtenir notre meilleur prix et citation rapide, les pls nous envoient l'email maintenant.
Nouvelles d'automation
En même temps, l'attraction de l'industrie a été considérablement augmentée, et plus d'entreprises vont le faire
associez-vous à la concurrence d'industrie. On le prévoit que la valeur de sortie totale de l'automation industrielle en Chine
dépassera 570 milliards de yuans en 2022.
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Au sujet de nous
L'AUTOMATION de MOORE A LIMITÉ le focuse sur des systèmes de contrôle, de legs au bord d'attaque.
Nous avons un grand inventaire des pièces de haute qualité et en surplus de système de contrôle. Nous distribuons également beaucoup le nouveau matériel
et logiciels pour aider à soutenir vos systèmes de contrôle existants ou pour utiliser la dernière technologie de contrôle.
Nous avons éprouvé le personnel, moyens de tests étendus et nous pouvons fournir la garantie d'une année pour toutes nos pièces en surplus.
À actions appropriées, délai de livraison rapide ! !
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