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JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance

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Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
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JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance

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Numéro de modèle :JY16M
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :50pcs (échantillon disponible)
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000pcs par mois
Délai de livraison :dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Détails de empaquetage :suite pour l'exportation
Tension de Porte-source :±30V
Courant continu de drain :4A (Ta=25°C)
Courant pulsé de drain :16A
Dissipation de puissance maximale :33 W
Couleur :Noir
Shap :Carré
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Description générale:

 

Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage grâce à un taux d'avalanche répétitif élevé.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

 

Caractéristiques:

 

● 600V/4A, RDS ((ON) =2,6Ω@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

 

Applications:

 

● L'éclairage
● Appareils électriques à commutateur à haute efficacité

 

Description du code PIN:

JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance

 

Les valeurs maximales absolues ((Ta=25°C, sauf indication contraire):

 

Le symbole Paramètre Rating Unité
VRésultats de l'enquête Voltage de la source de vidange 600 V
VGS Voltage de la porte de sortie ± 30 V
Je suis...D Courant de drainage continu Tc = 25°C 4 Une
Tc = 100°C 2.9
Je suis...Le DM Courant de drainage pulsé 16 Une
PD Dissipation de puissance maximale 33 W
TJeTGST Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage -55 à +150 °C
RThJC Résistance thermique - jonction avec le boîtier 1.56 °C/W
RLes résultats Résistance thermique - jonction avec l'environnement 62 °C/W

 

TO220F-3 Conception du paquet:

JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance

 

Le symbole MM Le nombre d'étoiles Le symbole MM Le nombre d'étoiles
Résultats Nom Maximum Résultats Nom Maximum Résultats Nom Maximum Résultats Nom Maximum
Une 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 250 REF. Je vous en prie. 0.098 REF. Je vous en prie.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q. Je vous en prie. 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.70 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.394 0.401              
 
 
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter directement par e-mail: ivanzhu@junqitrading.com
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