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MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

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Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
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MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

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Numéro de modèle :JY11M
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :50pcs (échantillon disponible)
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :1000 pièces par jour
Délai de livraison :dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Détails de empaquetage :suite pour l'exportation
Nom :Transistor MOSFET de la Manche de N
Modèle N°. :JY11M
Tension de Drain-source :100 V (Tc = 25°C)
Tension de Porte-source :± 20 V
Courant continu de drain :110A ((Tc=25°C)
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage :-55 à +175°C
récupération inverse du corps :- Oui, oui.
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Description générale:


Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage avec un taux d'avalanche répétitif élevé.
Les caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.


 Caractéristiques:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

 

Applications:

 

● Changement d'application
● Circuits à haute fréquence et à commutation dure
● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs

 

Description du code PIN:

 

MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

Les valeurs maximales absolues ((Tc=25°C, sauf indication contraire):

 

Le symbole Paramètre Limite Unité
VRésultats de l'enquête Voltage de la source de vidange 100 V
VGS Voltage de la porte de sortie ± 20 V
Je suis...D Courant de drainage continu TC = 25°C 110 Une
TC = 100°C 82
Je suis...Le DM Courant de drainage pulsé 395 Une
PD Dissipation de puissance maximale 210 W
TJeTGST Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage -55 à +175 °C
RThJC Résistance thermique - jonction avec le boîtier 0.65 °C/W
RθJA
Résistance thermique - jonction avec l'environnement 62

 

TO220-3 Conception de l'ensemble:

MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence
 

Le symbole mm pouces Le symbole mm pouces
- Je vous en prie. Nom Je suis désolé. - Je vous en prie. Nom Je suis désolé. - Je vous en prie. Nom Je suis désolé. - Je vous en prie. Nom Je suis désolé.
Une 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 2.50 REF. Je vous en prie. 0.098 REF. Je vous en prie.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q. Je vous en prie. 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.7 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.94 0.401              

 

 

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter directement par e-mail: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 
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