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Province / État:jiangsu

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China Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé wholesale

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé

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Numéro de modèle :JY4P7M

Point d'origine :La Chine

Quantité d'ordre minimum :50pcs (échantillon disponible)

Conditions de paiement :T/T, Paypal

Capacité d'approvisionnement :10000pcs par mois

Délai de livraison :Habituellement 5-8 jours ouvrables après avoir reçu le paiement

Détails de l'emballage :Sacs en PE + carton

Modèle N°. :JY4P7M

Vds :-40 V

Vgs :± 20 V

Dissipation de puissance maximale :130 W

Température de fonctionnement :-55 à +175°C

Résistance thermique - jonction avec le boîtier :00,98°C/W

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Description générale:

Le JY4P7M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les

les applications de charge.

Caractéristiques:

● −40V/−70A, RDS ((ON) ≤10mΩ@VGS=−10V

● Conception de cellules à haute densité pour un Rdson ultra bas

● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés

● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

Applications:

● Commutateur de charge dans les applications à courant élevé

● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs

Description du code PIN: