Description générale
Le produit est un MOSFET à haute tension et à haute vitesse et un pilote IGBT basé sur le procédé P-SUB P-EPI.Le conducteur de canal flottant peut être utilisé pour conduire deux MOSFET ou IGBT de puissance N-canal indépendamment qui fonctionne jusqu'à 150VLes entrées logiques sont compatibles avec les sorties CMOS ou LSTTL standard, jusqu'à 3,3 V logique.Les délais de propagation sont adaptés pour simplifier l'utilisation dans les applications à haute fréquence.
Caractéristiques:
● Compatible avec la logique 3.3V
● Pleinement opérationnel à + 150 V
● Canaux flottants conçus pour fonctionner à la dérive
● Plage d'alimentation de l'entraînement de la porte de 5,5 V à 20 V
● Capacité de courant de sortie Source/Sink 450mA/850mA
● Entrée logique indépendante pour accueillir toutes les topologies
● -5V négatif Vs capacité
● Délai de propagation correspondant pour les deux canaux
Applications
● Le pilote de puissance MOSFET ou IGBT
● Le conducteur de moteurs de petite et moyenne puissance
Packages et circuit d'application:
Description de la broche:
| Numéro de broche |
Nom de la broche |
Fonction de broche |
| 1 |
Vcc |
Énergie latérale inférieure et principale |
| 2 |
Le HIN |
Entrée logique pour la sortie du pilote de la porte latérale élevée (HO) |
| 3 |
L.I.N. |
Entrée logique pour la sortie du pilote de la porte latérale basse (LO) |
| 4 |
Commune |
Le sol |
| 5 |
LO |
Sortie de traction de la porte latérale basse, en phase avec LIN |
| 6 |
Pour |
Retour de l'alimentation flottante latérale supérieure |
| 7 |
H.O. |
Sortie de conduite de porte latérale haute, en phase avec le HIN |
| 8 |
VB. Pour |
Apport flottant latéral supérieur |
Diagramme de blocage fonctionnel:
Les cotes maximales absolues:
| Le symbole |
Définition |
Je suis désolée. |
Je suis Max. |
Unités |
| VB. Pour |
Apport flottant latéral supérieur |
- Je ne sais pas.3 |
150 |
V |
| VS |
Retour de l'offre flottante latérale élevée |
VB. Pour- 20 ans. |
VB. PourUn point nul.3 |
| VH.O. |
Sortie d'entraînement de porte latérale élevée |
VS- Je ne sais pas.3 |
VB. PourUn point nul.3 |
| VCC |
Énergie latérale inférieure et principale |
- Je ne sais pas.3 |
25 |
| VLO |
Faible sortie d'entraînement de porte latérale |
- Je ne sais pas.3 |
VCCUn point nul.3 |
| VDans |
Entrée logique de HIN&LIN |
- Je ne sais pas.3 |
VCCUn point nul.3 |
| DSE |
Modèle HBM |
2500 |
V |
| Modèle de machine |
200 |
V |
| PD |
Dissipation de la puissance du paquet @TUne≤ 25 °C |
Je ne sais pas. |
0.63 |
W |
| RèmeJe vous en prie. |
Junction de résistance thermique à l'environnement |
Je ne sais pas. |
200 |
oC/W |
| TJe |
Température de jonction |
Je ne sais pas. |
150 |
oC |
| TS |
Température de stockage |
- 55 ans |
150 |
| TL |
Température du plomb |
Je ne sais pas. |
300 |
SOP-8 Conception de l'ensemble:
| DIM |
Nombre d'unités |
| |
- Je vous en prie. |
Je suis désolé. |
| Une |
1.35 |
1.75 |
| A1 |
0.10 |
0.25 |
| B. Pour |
0.35 |
0.49 |
| C |
0.18 |
0.25 |
| D |
4.80 |
5.00 |
| E |
3.80 |
4.00 |
| e |
1.27BSC |
| H est |
5.80 |
6.20 |
| h |
0.25 |
0.50 |
| L |
0.40 |
1.25 |
| Le |
0° |
7° |
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail: ivanzhu@junqitrading.com
