Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

Moteur sans brosse professionnel de C.C conduisant le fournisseur de solution

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
7 Ans
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Commutateur latéral élevé du transistor MOSFET 450mA/850mA de technologie de JUYI, conducteur compatible de transistor MOSFET de Bldc de la logique 3.3V

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Commutateur latéral élevé du transistor MOSFET 450mA/850mA de technologie de JUYI, conducteur compatible de transistor MOSFET de Bldc de la logique 3.3V

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Numéro de type :JY21L
Quantité d'ordre minimum :1 jeu
Détails d'emballage :Carton du PE bag+
Point d'origine :La Chine
Délai de livraison :5-10 jours
Conditions de paiement :T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement :1000sets/day
Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte :5.5V à 20V
La source de sortie/descendent la capacité actuelle :450mA/850mA
Approvisionnement de flottement de côté élevé :-0.3-150V
Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur :-0.3-25V
Grande vitesse :Oui
Couleur :Noir
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Conducteur de côté de ciel et terre de JY21L, haute tension, conducteur à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés sur le processus de P-SUB P-EPI.

 

Description générale
Le produit est une haute tension, un conducteur à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés dessus
Processus de P-SUB P-EPI. Le conducteur de canal de flottement peut être employé pour conduire le N-canal deux
actionnez le transistor MOSFET ou l'IGBT indépendamment qui fonctionnent jusqu'à 150V. Les entrées de logique sont
compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique 3.3V. La sortie
les conducteurs comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix minimum de conducteur
conduction. Des retards de propagation sont assortis pour simplifier l'utilisation dans la haute fréquence
applications.


Caractéristiques
logique du ● 3.3V compatible
● complètement opérationnel à +150V
Canal de flottement de ● conçu pour l'opération d'amorce
Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de ● de 5.5V à 20V
Le ● a produit la capacité actuelle 450mA/850mA de source/évier
Entrée indépendante de logique de ● pour adapter à toutes les topologies
négatif du ● -5V contre la capacité
Retard de propagation assorti par ● pour les deux canaux


Applications
Conducteur de transistor MOSFET ou d'IGBT de puissance de ●
Petit et de capacité moyenne de moteur conducteur de ●
 

Commutateur latéral élevé du transistor MOSFET 450mA/850mA de technologie de JUYI, conducteur compatible de transistor MOSFET de Bldc de la logique 3.3V

 

Description de Pin

Numéro de borne Nom de Pin Fonction de Pin
1 VCC Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur
2 HIN Logique entrée pour le haut conducteur latéral de porte produit (HO)
3 LIN La logique a entré pour le bas conducteur latéral de porte produit (LO)
4 COM La terre
5 LO Basse sortie latérale d'entraînement de porte, dans la phase avec LIN
6 CONTRE Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé ou retour d'amorce
7 HO Sortie latérale élevée d'entraînement de porte, dans la phase avec HIN
8 VB Approvisionnement de flottement de côté élevé


Capacités absolues

Symbole Définition MINIMAL. MAXIMUM. Unités
VB Approvisionnement de flottement de côté élevé -0,3 150 V
CONTRE Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé VB-20 VB +0,3
VHO Sortie latérale élevée d'entraînement de porte VS-0.3 VB +0,3
VCC Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur -0,3 25
VLO Basse sortie latérale d'entraînement de porte -0,3 VCC +0,3
VIN Entrée de logique de HIN&LIN -0,3 VCC +0,3
ESD Modèle de HBM 2500 V
Modèle de machine 200 V
Palladium Dissipation de puissance de paquet @TA≤25ºC 0,63 W
RthJA Jonction de résistance thermique à ambiant 200 ºC/W
TJ La température de jonction 150 ºC
SOLIDES TOTAUX Température de stockage -55 150
TL La température d'avance 300


Note : Le dépassement de ces estimations peut endommager le dispositif

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY21L

Commutateur latéral élevé du transistor MOSFET 450mA/850mA de technologie de JUYI, conducteur compatible de transistor MOSFET de Bldc de la logique 3.3VJY21L.pdf

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