Le JY12M est le N et P canaux logique mode d'amélioration du champ de puissance transistors
Ces produits sont fabriqués à l'aide de la technologie DMOS à haute densité cellulaire.
Ces dispositifs sont conçus pour réduire la résistance à l'état actif.
spécialement conçus pour les applications à basse tension telles que les téléphones cellulaires et les ordinateurs portables
la gestion de l'alimentation de l'ordinateur et d'autres circuits alimentés par batterie où le côté haut
la commutation, et une faible perte de puissance en ligne sont nécessaires dans une très petite surface de contour
le paquet de montage.

Caractéristiques

Dispositif	RLe nombre de points de contrôle	Je suis...DMAX25 °C
N-canal	20mΩ@VGS= 10 V	8.5A
32mΩ@VGS=4,5V	7.0A
P-canal	45mΩ@VGS= 10 V	-5,5A
85mΩ@VGS=4,5 V	-4.1A

● Faible capacité d'entrée
● Vitesse de commutation rapide

Applications
● Gestion de l'énergie
● Convertisseur CC/DC
● Contrôle du moteur CC
● Invertisseur d'affichage de téléviseurs LCD et de moniteurs
● Invertisseur CCFL

Rating maximal absolu ((Ta=25oC, sauf indication contraire)

Paramètre	Le symbole	Le canal N	Canal P	Unité
10 secondes	Il est calme.	10 secondes	Il est calme.
Voltage de la source de vidange	VDSS	30	- 30 ans	V
Voltage de la source de porte	VDSS	±20	±20
Continuité Courant de drainage	Ta=25 oC	Je suis...D	8.5	6.5	- Il y en a 7.0	- Il y en a cinq.3	Une
Ta=70 oC	6.8	5.1	- Il y en a cinq.5	- Il y en a 4.1
Courant de drainage pulsé	Je suis...Le DM	30	- 30 ans
Puissance maximale Dissipation	Ta=25 oC	PD	1.5	W
Ta=70 oC	0.95
Junction de fonctionnement Température	TJe	- 55 à 150	oC
Résistance thermique Junction avec Ambient	RθJA	61	100	62	103	oC/W
Résistance thermique Junction au boîtier	RθJC	15	15	oC/W

Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	Conditions d'utilisation	- Je vous en prie.	Le type	Je suis désolé.	Unité
Statique
VLe numéro d'immatriculation	seuil de porte Voltage	VRésultats de l'enquête=VGSJe...D= 250 uA	N-Ch	1.0	1.5	3.0	V
VRésultats de l'enquête=VGSJe...D=-250uA	P-Ch	- Une.0	- Une.5	- Il y en a trois.0
Je suis...GSS	Fuite de la porte Actuel	VRésultats de l'enquête=0V, VGS= ± 20V	N-Ch	± 100	nA
P-Ch	± 100
Je suis...DSS	Voltage de sortie à zéro Courant de drainage	VRésultats de l'enquête= 30V, VGS=0V	N-Ch	1	UA
VRésultats de l'enquête=-30V, VGS=0V	P-Ch	- Je vous en prie.
Je suis...D ((ON)	Écoulement à l'état Actuel	VRésultats de l'enquête≥ 5V, VGS= 10 V	N-Ch	20	Une
VRésultats de l'enquête≤ 5 V, VGS= 10 V	P-Ch	- 20 ans.
RRésultats de l'enquête	Source de drainage En état de marche Résistance	VGS= 10V,ID= 7,4A	N-Ch	15	20	mΩ
VGS= 10 V,ID= 5,2A	P-Ch	38	45
VGS= 4,5 V,ID= 6,0A	N-Ch	23	32
VGS= 4,5 V,ID= 4,0A	P-Ch	65	85
VSD	Diode vers l' avant Voltage	Je suis...S=1,7A,VGS=0V	N-Ch	0.8	1.2	V
Je suis...S= -1,7A,VGS=0V	P-Ch	- Je ne sais pas.8	- Une.2

Télécharger le manuel d'utilisation JY12M

Le rapport annuel annuel

Inquiry Cart 0