Transistor MOSFET de puissance de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Application de changement
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Limite | Unité |
| VDS | Tension de Drain-source | 100 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 20 | V |
| Identification | Drain continu
Actuel | Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 |
| IDM | Courant pulsé de drain | 395 | |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 210 | W |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes
Gamme | -55 à +175 | ºC |
| RθJC | Résistance-jonction thermique à enfermer | 0,65 | ºC/W |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques |
| BVDSS | Drain-source
Tension claque | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 100 | V |
| IDSS | Tension nulle de porte
Vidangez actuel | VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA |
| IGSS | Fuite de Porte-corps
Actuel | =± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na |
| VGS (Th) | Seuil de porte
Tension | VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source
résistance de Sur-état | VGS =10V, IDENTIFICATION =40A | 6,5 | mΩ |
| gFS | En avant
Transconductance | VDS =50V, IDENTIFICATION =40A | 100 | S |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY11M
JY11M.pdf
