JY12M N et transistor MOSFET de la Manche 30V de P pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY12M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
sont produits utilisant la technologie élevée de fossé de la densité DMOS de cellules. Ceci à haute densité
le processus est particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état. Ces dispositifs sont
en particulier adapté à l'application de basse tension telle que le téléphone mobile et le carnet
gestion de puissance d'ordinateur et d'autres circuits à piles là où du côté haut
la commutation, et la basse perte de puissance intégrée sont nécessaires dans une surface très petite d'ensemble
paquet de bâti.
CARACTÉRISTIQUES
| Dispositif | LE RDS (DESSUS) MAX | IDMAX (25ºC) |
| N-canal | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A |
| P-canal | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide
APPLICATIONS
●Gestion de puissance
●Convertisseur de DC/DC
●Contrôle de moteur de C.C
●Affichage à cristaux liquides TV et inverseur d'affichage de moniteur
●Inverseur de CCFL
Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | La Manche de N | La Manche de P | Unité |
| sec 10 | Régulier | sec 10 | Régulier |
| Vidangez la tension de source | VDSS | 30 | -30 | V |
| Tension de source de porte | VDSS | ±20 | ±20 |
Continu
Vidangez actuel | ºC Ta=25 | Identification | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
| ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 |
| Courant pulsé de drain | IDM | 30 | -30 |
Puissance maximum
Dissipation | ºC Ta=25 | Palladium | 1,5 | W |
| ºC Ta=70 | 0,95 |
Jonction fonctionnante
La température | TJ | -55 à 150 | ºC |
Résistance thermique
Jonction à ambiant | RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W |
Résistance thermique
Jonction à enfermer | RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Charge statique |
| VGS (Th) | Seuil de porte
Tension | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | N-ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA | P-ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 |
| IGSS | Fuite de porte
Actuel | VDS =0V, VGS =±20V | N-ch | ±100 | Na |
| P-ch | ±100 |
| IDSS | Tension nulle de porte
Vidangez actuel | VDS =30V, VGS =0V | N-ch | 1 | uA |
| VDS =-30V, VGS =0V | P-ch | -1 |
| IDENTIFICATION (DESSUS) | Drain de Sur-état
Actuel | VDS ≥5V, VGS =10V | N-ch | 20 | |
| VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-ch | -20 |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source
Sur-état
Résistance | VGS =10V, IDENTIFICATION =7.4A | N-ch | 15 | 20 | mΩ |
| VGS =-10V, IDENTIFICATION =-5.2A | P-ch | 38 | 45 |
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =6.0A | N-ch | 23 | 32 |
| VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-4.0A | P-ch | 65 | 85 |
| VSD | Diode en avant
Tension | EST =1.7A, VGS =0V | N-ch | 0,8 | 1,2 | V |
| EST =-1.7A, VGS =0V | P-ch | -0,8 | -1,2 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY12M
JY12M.pdf
