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Dispositifs à grande vitesse de transistor MOSFET et d'IGBT de For Power de conducteur de porte de JY213L

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Dispositifs à grande vitesse de transistor MOSFET et d'IGBT de For Power de conducteur de porte de JY213L

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Number modèle :JY213L
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :100000 PCS par mois
Délai de livraison :5-10days
Détails de empaquetage :Sac PE + carton
Marque :JUYI
Modèle :JY21L
Plage de fonctionnement :-40-125 ℃
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Dispositifs ultra-rapides de transistor MOSFET et d'IGBT de For Power de conducteur de porte de JY213L avec trois canaux de sortie indépendants

Description

JY213L est un conducteur triphasé ultra-rapide de porte travaillé pour des dispositifs de transistor MOSFET et d'IGBT de puissance. Ce conducteur avancé comporte trois canaux de sortie indépendants, côté de ciel et terre a mis en référence, assurant le contrôle optimal. Avec du temps mort intégré et pousse-à travers la protection, il sauvegarde le moitié-pont, empêchant n'importe quel possible détérioration. Les circuits d'UVLO assurent l'opération fiable en empêchant le défaut de fonctionnement pendant de basses situations de tension de seuil. Utilisant un processus de BCD et un bruit à haute tension d'inauguration de commun-mode décommandant la technique, ce conducteur maintient la stabilité dans les scénarios élevés de bruit de dV/dt tout en exhibant la tolérance passagère négative exceptionnelle de tension. En plus, permettez la goupille permet le mode veille, en permettant à la puce d'entrer dans un bas état actuel tranquille et en augmentant la longévité de batterie. Performances inégalées d'expérience et fiabilité durable avec le conducteur ultra-rapide de porte de JY213L. Obtenez plus de détails cliquent sur svp ici.

Caractéristiques

• Haut conducteur latéral intégré du moitié-pont 90V
• Capacité de conduire aux portes triphasées de moitié-pont
• Diode intégrée de courroie de botte pour chaque canal latéral élevé
• Protection intégrée de temps mort
• Pousse-à travers la protection
• Sous le lock-out de tension pour VCC et VBS
• Basse tension 0-5.5V d'opération pour VCC et VBS
• logique de l'entrée 3.3V et 5V compatible
• Permettez la goupille (en) pour le bas courant de remplaçant
• IO+/IO- : +1.2A/-2.0A à VCC=15V, VBS=15V
• Temps mort intégré : 0.5us (type.)
• circuit d'annulation de bruit du Commun-mode dV/dt
• Tolérant de la tension passagère négative
• Basse commande de porte de dI/dt pour une meilleure immunité de bruit
• – 40ºC à la plage de fonctionnement 125ºC
• Petit paquet d'empreinte de pas : TSSOP20L/24L, 173mil

Application

• E-BIKE/conducteur triphasé de moteur d'outil courant électrique
• Mini/micro contrôle de moteur à piles
• Inverseur d'usage universel

Schéma fonctionnel

Dispositifs à grande vitesse de transistor MOSFET et d'IGBT de For Power de conducteur de porte de JY213L

Circuit typique d'appication

Dispositifs à grande vitesse de transistor MOSFET et d'IGBT de For Power de conducteur de porte de JY213L

Pin Configuration

 

Dispositifs à grande vitesse de transistor MOSFET et d'IGBT de For Power de conducteur de porte de JY213L

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