JY4N8M
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de la Manche de N
Description générale
Le JY4N8M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la densité élevée de cellules et réduit sur la résistance de ‐ avec la basse charge de porte. Ces caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications. Obtenez plus de détails cliquent sur svp ici.
Caractéristiques
●40V/80A, le RDS (DESSUS) ≤6.5mΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
Applications
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
PIN Description
Contour du paquet TO525
Images
