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Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

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Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour la charge à forte intensité

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China Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour la charge à forte intensité wholesale
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Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour la charge à forte intensité
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Number modèle :JY4P7M
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :100000 PCS par mois
Délai de livraison :5-10days
Détails de empaquetage :Sac PE + carton
Marque :JUYI
Modèle :JY4P7M
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Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour des applications à forte intensité de charge

 

Description générale

Dans des applications à forte intensité de charge, le JY4P7M s'avère être un dispositif extrêmement fiable et efficace. Il réalise une densité élevée de cellules et la réduit au minimum effectivement sur la résistance de ‐ par l'utilisation des techniques de traitement tranchantes de fossé. En plus, le dispositif comporte la basse charge de porte, augmentant plus loin son performance.ents.  Obtenez plus de détails cliquent sur svp ici.

 

Caractéristique

●‐ 70A, ‐ 10V du ‐ 40V/du RDS (DESSUS) ≤10mΩ@VGS=
●Conception à haute densité de cellules pour Rdson très réduit
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique

Applications

●Commutateur de charge dans des applications à forte intensité
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur

PIN Description

Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour la charge à forte intensité

Contour du paquet TO252

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Images

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