JY11M
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de la Manche de N
En incorporant des techniques de traitement avancées de fossé, le JY11M accomplit une densité remarquable de cellules, une sur-résistance concurremment de minimisation et revendiquer une estimation répétitive élevée d'avalanche. La convergence de ces attributs rend cette conception particulièrement efficace et fiable pour des applications de changement de puissance, aussi bien que pour un éventail varié d'autres cas d'utilisation. Obtenez plus de détails cliquent sur svp ici.
Description générale
Le JY11M est un dispositif de semi-conducteur tranchant qui incorpore des techniques de traitement avancées de fossé. Cette conception innovatrice réalise une densité remarquable de cellules, réduisant effectivement la sur-résistance et réalisant une estimation répétitive élevée d'avalanche. Ces caractéristiques exceptionnelles rendent le JY11M particulièrement efficaces et fiables pour des applications de changement de puissance, aussi bien qu'un éventail varié d'autres cas d'utilisation.
Avec une estimation de tension de 100V et une estimation actuelle de 110A, le JY11M offre l'excellente représentation. Il revendique une basse sur-résistance (le RDS (DESSUS)) de 6.5mΩ à une tension de porte-source (VGS) de 10V, assurant des opérations de commutation efficaces de puissance. Le dispositif comporte également la commutation rapide et la récupération inverse de corps, permettant des opérations de changement rapides et efficaces.
D'ailleurs, le JY11M est entièrement caractérisé en termes de tension d'avalanche et actuel, assurant l'opération fiable dans des conditions extrêmes. Son excellent design d'emballage facilite la dissipation thermique efficace, augmentant la fiabilité et la longévité globales du dispositif.
En résumé, le JY11M est un semi-conducteur avancé qui combine une densité élevée de cellules, une sur-résistance réduite au minimum, et une estimation répétitive élevée d'avalanche. Ces qualités lui font un choix particulièrement efficace et fiable pour des applications de changement de puissance, aussi bien que pour de divers autres cas d'utilisation où la représentation robuste est exigée.
Caractéristiques
●100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
Applications
●Application de changement
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
PIN Description
Contour du paquet To-220-3
Images
