Transistor MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V avec la vitesse de changement rapide pour des applications d'inverseur
Description générale
Le JY12M est un type de transistor de champ de puissance conçu dans N et mode d'amélioration de logique de la Manche de P. Ces transistors sont fabriqués utilisant une technologie élevée de fossé de la densité DMOS de cellules, qui permet d'excellentes caractéristiques de fonctionnement. Le processus à haute densité de la technique de fabrication est spécifiquement optimisé pour réduire au minimum la résistance de sur-état, menant à l'efficacité augmentée.
Ces transistors de puissance sont particulièrement bien adaptés pour des applications de basse tension, telles que la gestion de puissance dans les téléphones mobiles, les ordinateurs portables, et d'autres circuits à piles. Ils excellent dans les situations où la commutation du côté haut et la perte de puissance minimale sont des conditions cruciales. En plus, le JY12M est conçu dans un paquet très petit de bâti de surface d'ensemble, tenant compte de l'intégration compacte et espace-efficace dans les systèmes électroniques.
En résumé, les transistors de champ de puissance de JY12M utilisent la technologie élevée de fossé de la densité DMOS de cellules, ayant pour résultat la résistance réduite de sur-état. Ils sont fortement appropriés aux applications de basse tension, particulièrement dans les scénarios où la commutation du côté haut efficace et la perte de puissance minimale sont essentielles. Le paquet extérieur compact de bâti autre renforce leur potentiel de polyvalence et d'intégration.
Fiche technique : JY12M.pdf
Caractéristiques
●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide
Application
●Gestion de puissance
●Convertisseur de DC/DC
●Contrôle de moteur de C.C
●Affichage à cristaux liquides TV et inverseur d'affichage de moniteur
●Inverseur de CCFL
PIN Configuration
Contour du paquet SOP-9
Images
