RN1109ACT(TPL3): les produits de base ne sont pas soumis à un contrôle de conformité.

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :80 mA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :NPN - Pré-décentré

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :150 mV @ 250 μA, 5 mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :CST3

Résistance - Base (R1) :47 kOhms

Mfr :Toshiba Semi-conducteurs et stockage

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :22 kOhms

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :500 nA

Puissance maximale :100 mW

Emballage / boîtier :SC-101, SOT-883

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 10mA, 5V

Numéro du produit de base :RN1109

Description :Le système de régulation de l'énergie doit être conforme à la norme EN ISO/IEC 17025 et à la norme E

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Monture de surface pré-biasée 50 V 80 mA 100 mW CST3

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