RN1110, LF ((CT)

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 MA

Statut du produit :Actif

Type de transistor :NPN - Pré-décentré

Type de montage :Monture de surface

Fréquence - Transition :250 MHz

Le paquet :Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300 mV @ 250 μA, 5 mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :MSS

Résistance - Base (R1) :4,7 kOhms

Mfr :Toshiba Semi-conducteurs et stockage

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :100nA (ICBO)

Puissance maximale :100 mW

Emballage / boîtier :SC-75, SOT-416

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :120 @ 1mA, 5V

Numéro du produit de base :RN1110

Description :Le système de régulation de la fréquence de l'appareil doit être conforme à la norme EN ISO/IEC 1704

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - SSM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW

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