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N creusent des rigoles les composants IRFP260N de circuit intégré de transistor MOSFET par le trou TO-247AC 200V 50A 300W

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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N creusent des rigoles les composants IRFP260N de circuit intégré de transistor MOSFET par le trou TO-247AC 200V 50A 300W

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Numéro de type :IRFP260N
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 50PCS/Standard
Type de FET :N-Canal
Vidangez à la tension de source :200V
Conduisez la tension :10V
Température de fonctionnement :-55°C | 175°C
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Transistor MOSFET 200V 50A 300W de N-canal d'IRFP260N par le trou TO-247AC

Caractéristiques

Technologie transformatrice avancée

Estimation dynamique de dv/dt

température de fonctionnement 175°C

Commutation rapide ?

Entièrement avalanche évaluée ?

Facilité de la parallélisation ?

Conditions simples TO-247AC d'entraînement ?

Sans plomb

Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 50A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 40 mOhm @ 28A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 234nC @ 10V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 4057pF @ 25V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 300W (comité technique)
Température de fonctionnement -55°C | 175°C

 

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