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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Koben.

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Fossé 1200V 50A 312W des composants IGBT TNP de circuit intégré de FGA25N120ANTD par le trou TO-3P

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Fossé 1200V 50A 312W des composants IGBT TNP de circuit intégré de FGA25N120ANTD par le trou TO-3P wholesale
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Fossé 1200V 50A 312W des composants IGBT TNP de circuit intégré de FGA25N120ANTD par le trou TO-3P
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Numéro de type :FGA25N120ANTD
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :Le plus petit emballage/nous contactent
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 25PCS/Standard
Condition :new&original
Expédition par :DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ HK signalent, DHL, UPS, TNT, TNT ou SME
Garantie :180 jours
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FGA25N120ANTD IGBT TNP et fossé 1200V 50A 312W par le trou TO-3P

Type d'IGBT TNP et fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 1200V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 50A
Actuel - le collecteur a palpité (le missile aux performances améliorées) 90A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 2.65V @ 15V, 50A
Puissance - maximum 312W
Énergie de commutation 4.1mJ (dessus), 960µJ ()
Type d'entrée Standard
Charge de porte 200nC
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C 50ns/190ns
Condition d'essai 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) 350ns
Température de fonctionnement -55°C | 150°C

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