Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V

Transistor de transistor MOSFET de puissance de RA30H1317M pour l'usage par radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V

DESCRIPTION

Le RA30H1317M est un module d'amplificateur de transistor MOSFET de 30 watts rf pour les radios mobiles de 12,5 volts qui fonctionnent dans les 135 - à la gamme 175-MHz. La batterie peut être reliée directement au drain des transistors de transistor MOSFET d'amélioration-mode. Sans tension de porte (VGG=0V), seulement un petit courant de fuite coule dans le drain et le signal d'entrée de rf atténue le DB jusqu'à 60. L'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain à mesure que la tension de porte augmente. Avec une tension de porte autour des augmentations actuelles de 3.5V (minimum), de puissance de sortie et de drain sensiblement. Le de puissance de sortie nominal devient disponible à 4V (typique) et à 5V (maximum). À VGG=5V, le courant typique de porte est de 1 mA. Ce module est conçu pour la modulation non linéaire de FM, mais peut également être employé pour la modulation linéaire en plaçant le courant tranquille de drain avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.

CARACTÉRISTIQUES

1, transistors de transistor MOSFET d'Amélioration-mode (IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>30W, hT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

2, plage de fréquence à bande large : 135-175MHz

3, contrôle de basse puissance IGG=1mA actuel (type) à VGG=5V

4, taille de module : 66 X.21 X 9,88 millimètres

5, opération linéaire est possible en plaçant le drain tranquille actuel avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée