Circuit intégré IC de régulateur d'arrêt de la puce DDR-II de circuit intégré de LP2997MRX
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Puce MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D d'IC de mémoire de 1GB RDA SDRAM
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MT46V16M16P-75 : Plateau de la RDA SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP de puce de DRACHME de MICRON de F
SDRAM - mémoire IC MT46V16M16P-5B de la RDA : Parallèle de M 256Mbit 200 mégahertz 700 puce électronique de la picoseconde 66-TSOP IC
PORTÉE des puces de mémoire de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram FBGA-96 RDA inchangée
Repérage LP2998QMRX/NOPB PMIC d'arrêt de la gestion IC de puissance de la RDA
Régulateur d'arrêt de LP2998MA NOPB RDA 1,35 V à 5,5 V
DRACHME IS42S16320F-6TLI de Pin TSOP II de 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54
fabrication de substrats de circuits imprimés de mémoire pour le DDR/LPDDR
256mbit 54 puce de mémoire de drachme de la mémoire HY57V561620FTP-HI de Pin EEPROM SDRAM 16Mx16 3.3V TSOP-II