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spécifications de 2N7002T-7-F
Catégorie
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Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
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Mfr
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Diodes incorporées
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Série
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-
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Type de FET
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N-canal
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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60 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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115mA (ventres)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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7.5Ohm @ 50mA, 5V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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2V @ 250µA
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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50 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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150mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-523
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Paquet/cas
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SOT-523
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