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Catégorie
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Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
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Mfr
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Diodes incorporées
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Série
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-
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Type de FET
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N-canal
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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20 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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1A (ventres)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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1.8V, 4.5V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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450mOhm @ 600mA, 4.5V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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1V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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0,74 OR @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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±6V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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60,67 PF @ 16 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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290mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-323
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Paquet/cas
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SC-70, SOT-323
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