Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.

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DMN4800LSSQ-13 bâti 1.46W (merci) extérieur du N-canal 30 V 8.6A (ventres) 8-SO

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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DMN4800LSSQ-13 bâti 1.46W (merci) extérieur du N-canal 30 V 8.6A (ventres) 8-SO

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Number modèle :DMN4800LSSQ-13
Point d'origine :LES Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum :2500
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :7500
Détails de empaquetage :Bande magnétique (TR)
Délai de livraison :5-8 jours de travail
Modèle :DMN4800LSSQ-13
Tension drain à source (Vdss) :30V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C :8.6A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) :4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :14 mOhms à 9 A, 10 V
Dissipation de puissance (maximale) :1.46W (Ta)
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DMN4800LSSQ-13 bâti 1.46W (merci) extérieur du N-canal 30 V 8.6A (ventres) 8-SO

Description

Ce transistor MOSFET est conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour les applications à haute efficacité de gestion de puissance.

 

Applications

contre-jour de 

le  actionnent des fonctions de gestion

convertisseurs du  DC-DC

 

Caractéristiques

basse Sur-résistance de 

basse capacité d'entrée de 

vitesse de changement rapide de 

basse fuite d'entrée-sortie de 

 totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme

halogène et antimoine de  libres. Dispositif « vert »

le  a qualifié aux normes AEC-Q101 pour la fiabilité élevée

 PPAP capable

 

Données mécaniques

cas de  : SO-8

matériel de cas de  : Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0

sensibilité d'humidité de  : De niveau 1 par J-STD-020

connexions de terminaux de  : Voir le diagramme

terminaux de  : Finition - Matte Tin Annealed au-dessus de Leadframe de cuivre. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208

poids de  : 0.072g (approximatif)

 

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Diodes incorporées
Série
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
30 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
8.6A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
8,7 OR @ 5 V
Vgs (maximum)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
798 PF @ 10 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
1.46W (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
8-SO
Paquet/cas
8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)

 

ORIGINAL

 

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

 

PRIX

 

Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.

 

TRANSACTION

 

Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.

 

CYCLE DE LIVRAISON

 

La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.

 

TRANSPORT

 

Nous choisirons le mode approprié de transport selon votre pays.

 

EMBALLAGE

 

Après communication avec vous, nous choisirons la méthode de empaquetage appropriée selon le poids des marchandises pour assurer la livraison sûre des marchandises.

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