produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.

Technologie Cie., Ltd de Shenzhen Xinyuanpeng.

Manufacturer from China
Membre du site
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / Flash Memory IC /

DS1270Y-70 mémoire instantanée IC SRAM non volatil IC 16Mb 70ns

Catégories de produits

Puce de circuit intégré

 [145]

Circuit intégré IC

 [104]

Condensateurs électrolytiques en aluminium

 [38]

Mémoire instantanée IC

 [44]

Connecteur d'IMMERSION

 [81]

Capteur de circuit intégré

 [67]

Semi-conducteur discret

 [50]

Produits optoélectroniques

 [59]

Alimentation d'énergie IC

 [58]

Protection de circuit IC

 [45]

Stockage de circuit intégré

 [50]

Composants passifs d'IC

 [46]

Pol Module

 [37]

IC en cristal

 [35]

Contrôleur IC Chip

 [48]
Contacter
Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:MissShen
Coordonnées du contact
Contacter
China DS1270Y-70 mémoire instantanée IC SRAM non volatil IC 16Mb 70ns wholesale
  • China DS1270Y-70 mémoire instantanée IC SRAM non volatil IC 16Mb 70ns wholesale

DS1270Y-70 mémoire instantanée IC SRAM non volatil IC 16Mb 70ns
Demander le dernier prix
Number modèle :DS1270Y-70#
Point d'origine :LES Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :10
Délai de livraison :5-10 jours de travail
Détails de empaquetage :TUBE
Modèle :DS1270Y-70#
Technologie :NVSRAM (SRAM non-volatile)
Capacité de la mémoire :16Mb (2M x 8)
Temps d'accès :70 NS
Statut de produit :Actif
Température de fonctionnement :-40°C | 85°C
Montage du type :Bâti extérieur
Applications :Des véhicules à moteur
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Mémoire de DS1270Y-70# NVSRAM (SRAM non-volatile) IC 16Mb (2M x 8) 70ns parallèle

 

Mfr
Analog Devices inc. Maxim Integrated
Série
-
Statut de produit
Actif
Type de mémoire
Non-volatile
Format de mémoire
NVSRAM
Technologie
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Capacité de la mémoire
16Mb (2M x 8)
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
70ns
Temps d'accès
70 NS
Tension - approvisionnement
4.5V | 5.5V
Température de fonctionnement
0°C | 70°C (VENTRES)
Montage du type
Par le trou
Paquet/cas
Module 36-DIP (0,610", 15.49mm)
Paquet de dispositif de fournisseur
36-EDIP

 

ORIGINAL

 

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

 

PRIX

 

Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.

 

TRANSACTION

 

Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.

 

CYCLE DE LIVRAISON

 

La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.

 

TRANSPORT

 

Nous choisirons le mode approprié de transport selon votre pays.

 

EMBALLAGE

 

Après communication avec vous, nous choisirons la méthode de empaquetage appropriée selon le poids des marchandises pour assurer la livraison sûre des marchandises.

Mots clés du produit:

nand flash memory chip

flash memory ic chip

flash memory datasheet
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4