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Ce circuit intégré de mémoire flash est un circuit intégré doté d'une organisation de mémoire 512K X 8 et d'un boîtier SOIC-8. Il peut fonctionner avec une tension d'alimentation allant de 2,7 V à 3,6 V,d'une longueur d'onde n'excédant pas 10 mmCette puce est conçue pour être utilisée dans tous les systèmes nécessitant un stockage fiable des données et des temps d'accès rapides.et un petit facteur de formeIl est également un excellent choix pour les applications nécessitant une grande quantité de stockage de données, telles que les applications médicales et industrielles.Cette puce est une solution fiable et rentable pour tout système nécessitant un stockage de données et des temps d'accès rapides.
Attribut | Valeur |
---|---|
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C |
Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | Le code SOIC-8 |
Écrivez le temps de cycle - Word | 50 μs |
Voltage - alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
Emballage | Le rouleau |
Type de produit | IC de mémoire flash |
Vitesse | 50 ans |
Conservation des données | Vingt ans |
Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
Les puces de circuits intégrés, telles que les circuits intégrés de mémoire flash, sont largement utilisées dans diverses applications.est une puce de circuit intégré fiable et rentable pour de nombreuses utilisationsIl est fabriqué aux USA et certifié ROHS. La quantité minimale de commande pour ce produit est de 1 et le prix pour chaque unité est de 1.Les détails de l'emballage comprennent le ruban adhésif et le délai de livraison est de 1 à 2 semaines.Les conditions de paiement sont T/T et la capacité d'approvisionnement est de 10000 pièces/jour.L'organisation de la mémoire est de 512K X 8 et la capacité de la mémoire est de 4MbitLe temps d'écriture d'un mot est de 50 μs.
Les circuits intégrés de mémoire flash sont des dispositifs délicats qui doivent être soigneusement emballés et expédiés pour s'assurer qu'ils ne sont pas endommagés pendant le transport.Voici les consignes d'emballage et d'expédition recommandées pour les circuits intégrés de mémoire flash.