Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

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IRFB3077PBF Produits semi-conducteurs discrets CI MOSFET canal N 75 V

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IRFB3077PBF Produits semi-conducteurs discrets CI MOSFET canal N 75 V

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Numéro de modèle :IRFB3077PBF
Lieu d'origine :Original
Quantité minimum d'achat :10 pièces
Modalités de paiement :LC, T/T, Western Union, MoneyGram,Panply
Capacité d'approvisionnement :1000000pcs/days
Heure de livraison :1-3 jours ouvrables
Détails de l'' emballage :Emballage standard
Description/Pack :MOSFET MOSFET 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
garantie :180 jours
Qualité :100% Original 100% Marque
Expédition par :Poste chinoise/DHL/FEDEX/UPS/TNT/DPEX/KAS
La description :Liste de nomenclature Devis
Délai de mise en œuvre :1-3 jours ouvrables
RSST :Oui
Condition :Composants electroniques
Taper :CI
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Le circuit intégré IRFB3077PBF ébrèche le MOSFET d'IC ​​de composants électroniques

DESCRIPTION DU PRODUIT

Numéro d'article #IRFB3077PBFest fabriqué parInfineonTechnologies et distribué par Jalixin.En tant que l'un des principaux distributeurs de produits électroniques, nous proposons de nombreux composants électroniques des meilleurs fabricants mondiaux.

Pour plus d'informations surIRFB3077PBFspécifications détaillées, devis, délais, conditions de paiement et plus encore, n'hésitez pas à nous contacter.Afin de traiter votre demande, veuillez ajouter la quantitéIRFB3077PBFà votre message.Envoyez un e-mail à andy@szjialixin.com pour un devis maintenant.

PROPRIÉTÉS DU PRODUIT

Fabricant: Infineon
Catégorie de produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : À travers le trou
Paquet/Boîte : TO-220-3
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 75V
Id - Courant de drain continu : 210 A
Rds activé - Résistance drain-source : 2,8 mOhms
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,8 V
Qg - Frais de porte : 220 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 175 C
Pd - Dissipation de puissance : 370W
Mode Canal : Renforcement
Emballage: Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Seul
Hauteur: 15,65 millimètres
Longueur: 10 millimètres
Type de produit: MOSFET
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Largeur: 4,4 millimètres
Alias ​​de référence : IRFB3077PBF SP001575594
Unité de poids: 0,068784 oz

IRFB3077PBF Produits semi-conducteurs discrets CI MOSFET canal N 75 V

IRFB3077PBF Produits semi-conducteurs discrets CI MOSFET canal N 75 V

FAQ

1. qui sommes-nous ?
JIALIXIN a été créé en 2010, il y a 12 ans d'expérience dans la fourniture de composants électroniques, dont 10 ans d'expérience pour offrir un service BOM Kitting.

2. Comment pouvons-nous garantir la qualité ?
Notre société dispose d'un département spécial de contrôle qualité et nous avons une machine de test professionnelle à tester.Nous prendrons des photos de vous et enverrons des documents aux clients avant l'expédition.Nos marchandises sont toutes d'agence ou d'origine et seront vérifiées avant expédition.

3.Fournissez-vous le service de liste BOM ?
OUI bien sûr, s'il vous plaît contactez-nous et envoyez-nous votre BOM, nous vérifierons le meilleur prix pour vous. JIALIXIN 10 ans d'expérience pour offrir un service de kit de BOM.

4. Pourquoi devriez-vous acheter chez nous et non chez d'autres fournisseurs ?
1) Avantage ponctuel, nous avons des entrepôts qui peuvent répondre aux besoins urgents en matériaux.
2) Avantage de l'agence, nous coopérons avec des agents autorisés.Pour certains matériaux demandés à long terme, envoyez-nous le prix cible pour l'application, et nous pouvons négocier avec l'agent pour organiser les commandes.

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