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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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R1RW0416DSB-2PR#D1

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Catégorie :Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire

Statut du produit :Actif

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Plateau

Série :-

DigiKey est programmable :Pas vérifié

Interface de mémoire :Parallèlement

Écrire le temps du cycle - mot, page :12ns

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :44-TSOP II

Type de mémoire :Les produits de base

Mfr :Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.

Taille de mémoire :4Mbit

Voltage - alimentation :3V à 3,6V

Temps d'accès :12 ns

Emballage / boîtier :44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)

Organisation de la mémoire :256K x 16

Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)

Technologie :SRAM

Numéro du produit de base :R1RW0416

Format de mémoire :SRAM

Définition :IC SRAM 4MBIT PARALLÈLE 44TSOP II

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IC mémoire SRAM 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II

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