Polarité du transistor :PNP
Catégorie de produit :Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Courant maximal du collecteur CC :- 800 mA
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :- 120 V
Emballage / boîtier :SOT-89-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Gain Bandwidth Produit fT :160 mégahertz
Configuration :Unique
Le collecteur de tension de base VCBO :- 120 V
Série :2DA12
Émetteur - tension de base VEBO :- 7 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :- 1 V
Fabricant :Diodes incorporées
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