Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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Pays / Région:china
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Polarité du transistor :N-canal
Technologie :SI
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Emballage / boîtier :TO-252-3
Température de fonctionnement maximale :+ 175 C
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange :Pour les appareils électroniques
Emballage :Le rouleau
Vgs th - tension de seuil de la source de passerelle :4 V
Id - Courant de vidange continu :106 A
Rds On - Résistance à la source de drainage :7 mOhms
Nombre de chaînes :1ère chaîne
Qg - Charge de la porte :220 après JC
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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