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Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Vgs (max) :± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C :120mA (ventres)
Type de FET :N-canal
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :4.9nC @ 5V
Fabricant :Infineon Technologies
Quantité minimale :1000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé) :0V, 10V
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique FET :Mode d'épuisement
Série :SIPMOS®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :146 pF @ 25V
Package du fournisseur :PG-SOT223-4
Emballage :Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :1.8W (ventres)
Emballage / boîtier :Pour les appareils électroniques
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :1V @ 94μA
Voltage d'échappement à la source (Vdss) :600 V
Définition :Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
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Le BSP135 E6327,de Infineon Technologies,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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