Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Vgs (max) :± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C :120mA (ventres)
Type de FET :N-canal
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :4.9nC @ 5V
Fabricant :Infineon Technologies
Quantité minimale :1000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé) :0V, 10V
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique FET :Mode d'épuisement
Série :SIPMOS®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :146 pF @ 25V
Package du fournisseur :PG-SOT223-4
Emballage :Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :1.8W (ventres)
Emballage / boîtier :Pour les appareils électroniques
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :1V @ 94μA
Voltage d'échappement à la source (Vdss) :600 V
Définition :Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
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