Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Vgs (max) :±30V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C :14A (comité technique)
Type de FET :N-canal
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :29nC @ 10V
Fabricant :Infineon Technologies
Quantité minimale :3000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé) :10 V
Température de fonctionnement :-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique FET :-
Série :HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :620pF @ 25V
Package du fournisseur :D-PAK
Statut de la partie :Dépassé
Emballage :Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'indicateur doit être égale ou supérieure à:
Dissipation de puissance (maximum) :86 W (Tc)
Emballage / boîtier :TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :5.5V @ 250µA
Voltage d'échappement à la source (Vdss) :Pour les appareils électriques
Définition :Le système de détection de la pollution par le gaz doit être conforme aux normes de sécurité énoncée
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