Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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Pour les appareils de surveillance de l'environnement

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Polarité du transistor :N-canal
Technologie :SI
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Mode de montage :À travers le trou
Emballage / boîtier :TO-262-3
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange :Pour les appareils électroniques
Emballage :Tuyaux
Id - Courant de vidange continu :180 A
Rds On - Résistance à la source de drainage :3.9 MOhms
Nombre de chaînes :1ère chaîne
Vgs - Voltage de la porte de sortie :20 V
Qg - Charge de la porte :143 après JC
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC
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