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RN2111MFV, L3F

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RN2111MFV, L3F

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Polarité du transistor :PNP
Catégorie de produit :Transistors bipolaires - pré-biasés
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Palladium - dissipation de puissance :150 mW
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :- 50 V
Emballage / boîtier :SOT-723-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min :120
Emballage :Le rouleau
Configuration :Unique
Série :RN2111
Une résistance d'entrée typique :10 kOhms
Fabricant :Toshiba
Courant de collecteur continu :- 100 mA
Définition :Transistors bipolaires - Résistant de biais prédéfini Transistors intégrés
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