Polarité du transistor :NPN
Catégorie de produit :Transistors bipolaires - pré-biasés
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Ratio de résistance typique :1
Palladium - dissipation de puissance :187 mW
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :50 V
Emballage / boîtier :SOT-363-6
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min :80 à 5 mA à 10 V
Emballage :Le rouleau
Configuration :Dual
Série :Pour les appareils à commande numérique
Une résistance d'entrée typique :100 kOhms
Courant de collecteur en courant continu de pointe :100 MA
Fabricant :un demi
Courant de collecteur continu :0,1 A
Définition :Transistors bipolaires - Pré-biasés 100mA 50V BRT double NPN
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