HGTG20N60A4D
Courant de fuite de l' émetteur de porte :+/- 250 nA
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :70 A
Palladium - dissipation de puissance :290 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :600 V ou plus
Emballage / boîtier :TO-247-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 20 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :1,8 V
Fabricant :Fairchild Semi-conducteur
Définition :Transistors IGBT de 600 V
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