Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.) :10 V
Catégorie de produit :Transistors bipolaires RF
Le gain :13 dB @ 0,4 GHz
Type de transistor :NPN
Quantité minimale :3000
Package du fournisseur :3-CP
Figure du bruit (dB Typ @ f) :1Le nombre de fois où la fréquence est supérieure à 0,6 dB @ 0,4 GHz
Statut de la partie :Actif
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :70 mA
Puissance maximale :200mw
Emballage :Tape et bobine (TR)
Fréquence - Transition :1.5 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :100 @ 10 mA, 5 V
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Type de montage :Monture de surface
Série :-
Fabricant :un demi
Définition :Transfert de l'énergie électrique à l'énergie nucléaire
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