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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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BFR93AE6327HTSA1

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BFR93AE6327HTSA1
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Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.) :12 V
Catégorie de produit :Transistors bipolaires RF
Le gain :90,5 à 14,5 dB
Type de transistor :NPN
Quantité minimale :3000
Package du fournisseur :Le SOT-23-3
Figure du bruit (dB Typ @ f) :1Pour les appareils à haute fréquence, la fréquence de sortie doit être supérieure à 0,5.
Statut de la partie :Actif
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :90mA
Puissance maximale :300 mW
Emballage :Tape et bobine (TR)
Fréquence - Transition :6 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 30mA, 8V
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Type de montage :Monture de surface
Série :-
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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