Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.) :15 V
Catégorie de produit :Transistors bipolaires RF
Le gain :11 dB
Le stock de l'usine :336000
Type de transistor :NPN
Quantité minimale :3000
Package du fournisseur :Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Figure du bruit (dB Typ @ f) :6 dB @ 60 MHz
Statut de la partie :Actif
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :50 mA
Puissance maximale :225mW
Emballage :Tape et bobine (TR)
Fréquence - Transition :600MHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :20 @ 3mA, 1V
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Type de montage :Monture de surface
Série :-
Fabricant :un demi
Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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