Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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MT2E512G08CKCCBH7-6:C TR

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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MT2E512G08CKCCBH7-6:C TR

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Technologie :Flash - NAND
Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire :Non volatils
Écrire le temps de cycle - mot, page :-
Package du fournisseur :-
Temps d' accès :-
Format de mémoire :Le flash
Statut de la partie :Actif
Taille de mémoire :512 Gb (64 G x 8)
Emballage :Tape et bobine (TR)
Température de fonctionnement :Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Quantité minimale :1000
Interface de mémoire :Parallèlement
Emballage / boîtier :-
Type de montage :-
Fréquence d' horloge :167MHz
Voltage - Appui électrique :2.7 V ~ 3.6 V
Série :-
Fabricant :Technologie des microns
Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes.
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Le MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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